量子芯片與量子計算機毫無疑問的是未來發展線路中占比最重要的一條。
在這方麵，哪怕是有著最大可能性代替矽基芯片的碳基芯片，其重要性也略輸一籌。
畢竟如今的量子計算機，已經構建了相當完善的理論基礎，甚至實現了操控兩位數量子比特的實體計算機，發展前途一片光明。
至於麻煩點，在於如何操控量子比特以及存儲信息。
而他手中的這份拓撲物態的產生機製和特性的研究機理論文，可以在很大程度上解決這個問題。
這意味著量子計算機的比特操控數量能跨入三位數甚至是四位數。
彆看傳統矽基芯片計算機的芯片中動輒上百億的晶體管，而量子比特的數量聽起來少的可憐。
但實際上這兩者根本就沒法比較。
如果硬要pk的話，那麼一台30個量子比特的量子計算機的計算能力，差不多和一台每秒萬億次浮點運算的經典計算機水平相當。
而量子計算機的計算能力，是隨著量子比特的操控數指數上升的。
據科學家估計，一台一百比特的量子計算機，在處理一些特定問題時，計算速度將超越現有最強的超級計算機。
如果能將量子計算機的計算比特提升到五百，那麼這台計算機將全方位吊打目前所有的超算。
當然，這些都是從理論上出發，至於具體實際情況，暫時還不知道。
不過理論上表現出的如此誘人前景，自然吸引了無數國家和科學機構將注意力投入到這個上麵來。
徐川也不例外，尤其是他現在手上還掌控著這樣一個大殺器。
隻不過他在考慮的是，是和國家合作，一起發展量子計算機領域，構建規則，掌控量子霸權，還是自己先繼續研究一下。
各有各的優勢，也各有各的缺點，的確很難讓人抉擇。
思索了一下，徐川搖了搖頭，將腦海中的想法拋了出去。
先走一步看一步吧。量子計算機的發展，他目前也抽不出什麼時間來做這事。
小型化可控核聚變技術和空天發動機都還沒搞定，目前最主要的精力還是先放到這個上麵再說。
收拾了一下書桌上的雜亂，徐川站起身，洗了個澡後趕往了川海材料研究所。
高臨界磁場的超導材料在模擬實驗中已經得到了數據支持，接下來自然是將其通過真正的實驗製備出來了。
本來這項工作在三天前就應該開始了，結果他因為一些意外的靈感在彆墅中研究了三天的時間，而樊鵬越那邊沒收到指令，也不敢擅自開始，就這樣拖了三天。
不過徐川也沒太在意，這三天的時間，是完全值得的。
進入實驗室，換上工作服，他找了兩個正式研究員當助理，親自開始製備引入了抗強磁性機理的高溫銅碳銀複合超導材料。
製備這種改進型的超導材料，在前期的時候步驟並沒有多大區彆。
通過真空冶金設備製造出純度高、結晶組織好、粒度大小可控的原料，這是製備銅碳銀複合材料的基礎。
隨後利用rf磁控濺射設備，將製備好的納米材料濺射在rtio3基片上，形成一層薄膜。
而從這裡開始，就是轉折點了。
在原本的高溫銅碳銀符合超導材料中，需要添加%體積分數的多壁碳納米管t和表麵鍍cu改性後的碳納米管作為增強相。
但在強化超導體中，需要通過引入過量的cu納米粒的同時，在高溫高壓條件下通過電流刺激引導cu原子形成自旋，與c原子形成軌道雜化，來改善材料表麵的結構。
這一步的主要目的就是讓過量cu納米粒中的cu原子摻雜進入空穴中，進而產生非平凡的量子現象，促使磁力阱的產生。
簡單的來說，就是磁力阱的產生需要外界補充能量，而高溫高壓以及導電等方式，就是補充手段和調整cu原子自旋角度的手段。
這是納米級材料與超導體材料的性能和微觀結構優化的常用手段之一。
除了高溫高壓外，還有滲透生長、溶液法、氣相沉積法、物理沉積法等辦法。
但因為需要額外補充能量的關係，這些手段大概都不太適合強化臨界磁場的超導體。
如果高溫高壓引導法不適合改進型的超導材料，剩下的唯一途徑，恐怕就是通過離子注入機來完成了。
但離子注入機的能級太高，會在較大程度上損壞超導體，降低性能不說，工業化量產也是個相當麻煩的事情。
畢竟這是原材料的製備，不是半導體的生產，總得考慮性價比和製備難度。
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本章完
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