矽自旋量子比特，也就是用矽材料製造的量子芯片。
拋開數量和規模，我們可以將每個量子比特的本質看做一個芯片內部的微小電子晶體管，很自然，我們就能夠使用與標準互補金屬氧化物半導體邏輯處理線中使用的流程類似的流程來製造它、控製它。
前兩年，英特爾的矽自旋量子比特器件才突破到12量子比特，我們現在就已經做到了1000，這說明這條路，我們身後的追趕者，其實也在觸摸門檻。
隻不過英特爾的技術研發困境，隻是我們研發路上的小石頭，很快就被跨越了而已，就像這一次的萬級量子比特。
以前我們研發出了穩態微聚束1b光源和柵極特殊接觸處理技術，從而使得得到了極高的芯片良品率和性能穩定性。
那麼現在，我們怎麼就不能研發更優秀的光源和芯片工藝，去革新半導體技術，從而提升量子芯片的規模和性能呢？
國外ib的野心也很大，它甚至敢將摩爾定律拿過來製定超導量子芯片的發展路線圖，說每個量子芯片集成的量子比特數目以每年翻倍的速度增加。
一個擁有12英寸晶圓研發製造線和euv光刻機的企業，就敢有如此大的野心。我們九州科技擁有18英寸晶圓的完整技術，還有比euv光刻機更強的1b光刻機都無法完成破萬。
你們認為，英特爾、ib擁有我們的技術規格，他們能夠實現破萬的技術門檻嗎？”
李由低下了頭，目露思索。
他聽出來了，麵對技術問題，自家顧總給出了兩個解決方案。
一是最有效，也最難的方案——技術升級，將1b光源提升到2b光源或者是換成其他更優秀的光源。同時將晶圓純度再提升下去，以及製造工藝、設計邏輯都進行升級。
隻要全產業鏈的技術都升級了，那麼這個問題也自然不攻而破。
而第二個方案就有些“簡單”了。
向英特爾、ib這些西方半導體公司學習，在現有的技術裡麵，儘可能的發揮每一個工藝的優點。將範圍內的事情做到極致，以求突破這個萬級量子芯片的限製。
李由能夠走到如今的地位，自然不是那種願意接受簡單方案的弱者。
“現有的技術工藝，再怎麼進行優化，也不可能有質的改變。當初您領導我們集體研發1b光源的時候，就曾說過，這是打開了一扇新的技術領域大門。
或許千級量子芯片就是它的限製，但的確是讓我們成功走進了量子芯片領域。
隻不過對於光源的升級，我們的光學專家，目前還沒有找到方向，等待光源升級，還需要時間。”
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