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第四十四章 臨時想到的偽裝計劃(1 / 2)

我有科研輔助係統!

許秋將蝕刻失敗的基片處理掉,開始思考失敗的原因。

一方麵可能是蝕刻時間過長;另一方麵可能是膠布與基片之間存在有氣泡,或者它們的間隙過大。

再次實驗。

許秋又取來三片en基片,用3電工膠布貼好圖案後,反複用鑷子按壓膠布的所在部位,使之與基片儘量貼合。

然後,他在三個新的一次性塑料杯中加入稀鹽酸,並倒入兩勺鋅粉。

等待五秒鐘後,他將三片基片各自放入一個塑料杯中,同時按下秒表。

每隔40秒鐘,撈出一片基片,隨後用去離子水衝洗乾淨,撕下上麵貼有的3電工膠布。

許秋通過肉眼觀察,蝕刻時間為40秒、80秒的基片,均得到了完好的圖案。

而蝕刻時間為120秒的基片,ito圖案的邊緣有被酸液腐蝕的痕跡,不過相較於上一次實驗,痕跡變得不明顯。

這說明將膠布與基片緊密貼合,對於防止酸液滲入膠布下麵起到了一定的作用。

肉眼可能會騙人,為了確保蝕刻成功,許秋從工具箱中取出萬用表,測量基片上被蝕刻部位的導通情況。

將萬用表調至導通模式,如果兩個紅黑表筆之間的電阻很小,萬用表就會發出“滴”的聲音。

經過檢測,三個基片被蝕刻部位都是不導通的,而ito本身是良好的導體,這表明裸露在外的ito成功被蝕刻。

因此,蝕刻時間為40秒和80秒的條件都是可行的。

許秋最終選擇了一個中間值,蝕刻1分鐘。

…………

摸索好實驗條件後,許秋製備了12片圖案化的enito基片。

雖然中途有一片因為膠布沒有粘牢而失敗了,但是不影響大局。

隨後,他用異丙醇清洗基片,接著用氮氣槍吹乾,裝入培養皿中。

接下來的旋塗操作,許秋又遇到了新的問題。

en基片無法被勻膠機上方的平台吸牢,在高速旋轉的過程中,基片有時會直接飛出去。

許秋想了想,將en基片貼在了與之同等大小的玻璃片上,然後再進行旋塗。

順利解決問題。

塗好edot:ss後,許秋將基片上的玻璃片取下,然後在100攝氏度下退火,擦片。

之後,他又重新在基片上貼好玻璃片,傳入旋塗的手套箱內。

陳婉清看到後,好奇問道“許秋,這是什麼,玻璃片上貼著……en基片嗎?”

“沒錯,我已經找到蝕刻en基片的方法了,濕法蝕刻,用3膠布貼好,控製好時間就行了,”許秋道

“下麵貼一塊玻璃是為了方便旋塗。”

“好呀,等下準備塗什麼有效層啊?”陳婉清道。

“學姐給我點tb7th的溶液用用唄,還有旋塗方法也告訴我吧。”許秋道。

“溶液在加熱攪拌台上,應該還有500微升,足夠你用了,”陳婉清道

“實驗條件的話,我等下寫在便簽紙上給你,現在快吃午飯了,等吃完飯回來再做實驗吧。”

許秋點點頭。

…………

下午,還不到一點鐘,許秋便拿著學姐的便簽紙,進入手套箱中。

沒辦法,旋塗的手套箱可是香餑餑,他怕到一點半的時候搶不到手套箱的使用權。

許秋看了一眼學姐的實驗條件



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