而現在許秋10%的效率，談得上是突破，卻不算重大突破。
將心中的雜念拋開，許秋開始仔細分析數據。
不論如何，作為科研工作者，最核心的還是要把自己的工作做好。
一共有上千個器件的JV數據結果，光是分析這些龐雜的數據，許秋就花費了半個小時的時間，也得到了不少結論：
第一，最佳的體係為H22：IDTTICIN，效率達到了10.12%，原先H22:IDTICIN體係的效率是7.6%，這表明IDTT單元相比於原先的IDT單元，光電性能提升了不少。
許秋立刻認識到IDTTICIN將是一個非常重要的標樣體係，便將IDTTICIN命名為ITIC，對於標樣體係來說，名稱簡單一些比較好，就比如PCE10、P3HT、PCE11、PCBM這些。名字簡單就容易被其他人記憶，也容易得到同行們的認可。
此外，ITIC的體係，和3DPDI體係不同，這種ADA分子的最優器件加工條件，不需要退火後處理，也不需要溶劑添加劑，隻需要正常的噴塗即可，非常的簡單，很“乾淨”。
而且，正常旋塗出來的器件性能要比噴塗法製備的器件低2%左右，僅為8.33%，如果其他人不知道噴塗這個技巧，就會比較難以重複出來這個結果。
第二，基於IDTICIN4F/4Cl/DM這些結構，性能相較於IDTICIN，4F和DM體係有所提高，幅度也不算小，從6.22%分彆提升到了8.92%和8.06%，而4Cl體係反而略微降低，至5.77%。
第三，學妹的H3x體係，也就是在BDT單元上引入氟原子後，器件的性能並沒有提高，反而略微降低。
根據現有的文獻，從統計學上來看，BDT上引入氟原子，性能提升的概率大概在20%左右，當然的想法是雖然這個概率不高，但也值得嘗試，現在撲街了，也沒什麼大不了的。
因為哪怕是撲街的材料，和ITIC結合，器件性能也有8.72%，最後拿出來水一篇ACSAMI還是沒什麼問題的。
第四，博後學姐的FNICIN體係，被許秋簡稱為FNIC，效率最高可達9.64%，最優的匹配給體為窄帶隙的PCE10，而非寬帶隙的H22係列。
許秋推斷可能是分子共軛長度延長，光吸收範圍會向近紅外的方向移動，以至於和窄帶隙的材料形成互補的光吸收。
他順手讓模擬實驗人員測了一個光吸收光譜，得以驗證，IDTICIN、ITIC、FNIC的共軛長度分彆為5、7、9，光吸收的範圍大致各為550750、600800、650850，也就是共軛長度每提高2，光吸收大約紅移50納米。
除了得出了四個結論外，許秋還順便想出了接下來的優化方向。
第一優先級，合成IDTTICIN4F、IDTTICINDM和FNICIN4F，分彆被他簡稱為IT4F、ITDM和FN4F。
第二優先級，合成單氟、單甲基取代的ICINF，ICINM單元，單氯取代的結構合成出來意義不大。這樣做既可以發文章，又可以明晰引入雜原子、甲基的數量對器件性能的影響。很多時候雖然能夠大概猜測到變化趨勢，但沒有把材料合成出來，再經過測試，那就隻是猜測而已。
第三優先級，側鏈修飾，使用噻吩側鏈以及苯環間位連接己基的側鏈取代ITIC體係中苯環對位連接己基的側鏈。
和當初衝刺效率的時候不同，那時候是新結構，達到多少多少的標準，差不多就是什麼檔次的文章，比如8%就是二區，10%就是一區。
現在對於這些新工作來說，相當於同屬一個類似的結構，器件的效率隻要保持在一定數值以上，不一定每次都取得效率突破，隻要把故事講得好聽，也能夠發表不差的文章，比如AM這樣頂刊級彆的文章。
當然，想要發表更好文章，比如《自然》主刊、大子刊級彆的，還是要把效率做上去，至少也要打破現有的效率記錄。