第376章 PMOS_四合院:我邊做科研邊吃瓜_思兔閱讀 

第376章 PMOS(1 / 2)

不是我不一次性說完,而是我每說一句話,你都要打斷我發表一點兒什麼意見,利諾奇卡心想。

“煤油?煤油的熱值是要比酒精高,啊哈,難道這就是原因?”

部長同誌這才有些釋然。

並不是他一定要找點什麼原因才能讓自己高興,而是這些情況單獨看起來都不算什麼,可是全部組合到一起,就多少有一些讓人驚訝了。

更大的射程,更大的戰鬥部,同等的尺寸和重量,這說明對方一定有什麼自己不知道的技術。

“部長同誌,我們要不要試一試把p-15的酒精換成煤油?”

p-15,就是544導彈。

“噢,不!基層的達瓦裡氏們會抱怨的,至少現在的p-15不能換!他們已經習慣維護這種導彈了,不是麼?”

不得不說,作為部長,還是非常體恤一線基層的同誌的。

咱們正毛旗的兵,就愛維護酒精燃料!

“利諾奇卡同誌,如果那邊還有什麼新的消息,一定要早一點告訴我。順便告訴盧比揚卡的同誌,他們需要付出更多努力了!”部長同誌總是覺得其中有哪裡不對,但是又不知道哪裡不對。

——

老毛子的糾結,高振東並不知道,他正在糾結自己的事情。

其實也不是糾結,隻是在繁雜的工藝中選出一條合適的路來。

雖然已經選定了技術,可是技術也有p(p溝道)、n(n溝道)、(互補)等等。

這些技術的每一道工序,又有不同的選擇。

就好像搭積木,要搭出一個公園來,有不同的搭法,正所謂殺豬殺屁股,各有各的殺法。

不過在的種類上,高振東倒是沒什麼好糾結的,p直接上就行了,作為最早的技術,自然是有他的優點的。

猜猜它為什麼最早?簡單啊!

p隻需要五次光刻就能搞定。

p區光刻、柵光刻、接觸光刻、金屬光刻、壓焊塊光刻,並在每次光刻中間加上不同的澱積或者氧化工序。

分彆形成p區、柵極、對外接觸孔、芯片內布線和封裝時用的引出焊點。

而且,其中掩膜需要嚴格對準套刻的,隻有第二次柵光刻,其他時候的對準要求都不是那麼高,這就讓手上的技術條件有限,捉襟見肘的高振東感到很舒服。

拋開封裝,隻是從矽片到布滿成品芯片核心(die)的半成品,隻需要12步工藝,就這,還包括準備矽片那一步工藝。

甚至不想要鈍化那一步的話,隻要前4次光刻就足夠了,與之相應的工藝也減少到了10步。

這是真的簡單,而且對材料的要求也不高。

隻需要考慮引入三種元素。

——形成氧化保護層的氧、形成柵極的硼、還有形成金屬導線的鋁。

其中鋁都不用考慮摻雜擴散的問題,隻是用於沉積。

某退休老頭真是太好玩兒了jpg。

而n和的難度,可就比p大多了,p彆的不說,至少做邏輯集成電路沒問題,而且,這玩意10μ的製程是能做8008的,其實做更高的製程也沒問題。

選定了p,高振東很快就把工藝路線給確定下來了。

不要最後一步鈍化,4次光刻,隻到金屬光刻完成為止。

至於為什麼選這個,當然是因為簡單了,而且他一開始是做比較粗的製程的,這個程度也就夠了。

而且,少這一步,成本也會下降。

先把邏輯門電路拿出來,支撐住dj-60d的生產,然後再去搞更好的。

先解決有沒有,再解決好不好。

選定了這些,抄起書來,那就快了,高振東花了一個下午飛快的把書抄完,第二天一個電話打給了已經有點兒望眼欲穿的1274廠。

一個多小時過後,呂廠長和魯總工帶著人聯袂而至,就等著這一天呢。

看著高振東給出的工藝設計指導文件,兩人有點懵,這玩意比起原來的,怎麼還變薄了?

先進技術,必定複雜,一旦複雜,那資料就會很厚,大家都這麼想。



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