回眸1991！
進入七月份以後，隨著氣溫的逐漸升高，王耀城更加忙碌了。
三度飛赴本子國，進行重要的商務談判。
經過艱苦的反複拉鋸，大西洋公司與日資富士通公司談判達成，八英寸晶圓廠生產專利池一攬子永久授權解決方案，雙方終於簽署正式協議。
大西洋公司以178億美金的高昂代價，取得了dra半導體生產專利池一攬子永久授權，從此打開了通向世界市場的通道。
這份合同意義重大，意味著大西洋公司生產的dra半導體，不再會受到生產專利的困擾，可以暢通地進入全世界市場銷售。
這一協定的簽署，徹底打通了最後專利牆阻礙，為大西洋公司飛速發展奠定基礎。
還彆嫌價格貴，除了日資大廠富士通公司，其他競爭對手為了排擠新玩家進入這個市場，絕不會賣出專利授權，這玩意彆的地兒還真沒處買，獨此一家。
日資富士通公司是本子國“dra製法革新“國家項目參與廠商，依照日資廠商生產專利互相授權協議，亨有dra半導體從ic設計，生產，封裝，測試全過程專利池使用授權。
這個專利池使用授權來自於曆史上的一次集體科技攻關，既然富士通公司退出了dra半導體生產領域，加之與棒子國三星半導體公司，現代半導體公司宿怨極深。
為了惡心對手，也為了出一口心中的惡氣，在無形的壓力和高價誘惑之下富士通公司終於鬆口，將手裡掌握的生產專利池使用授權永久轉讓。
曆史上
1976年3月，經通產省、自民黨、大藏省多次協商，本子政府啟動了“dra製法革新“國家項目。
由本子政府出資320億日元，日立、nec、富士通、三菱、東芝五大企業聯合籌資400億日元，總計投入720億日元為基金，由日本電子綜合研究所和計算機綜合研究所牽頭，設立國家性科研機構——“vlsi技術研究所”。
攻關項目由日立公司領頭組織800多名技術精英，共同研製國產高性能dra製程設備，目標是突破64kdra和256kdra的實用化，遠期實現1dra的實用化。
在這一技術攻關體係中，日立（第一研究室），負責電子束掃描裝置與微縮投影紫外線曝光裝置。
富士通（第二研究室）研製可變尺寸矩形電子束掃描裝置。
東芝（第三研究室）負責eb掃描裝置與製版複印裝置。
電氣綜合研究所（第四研究室）對矽晶體材料進行研究。
三菱電機（第五研究室）開發製程技術與投影曝光裝置。
nec（第六研究室）進行產品封裝設計、測試、評估研究。
1980年，本子國vlsi聯合研發體，宣告完成為期四年的vlsi攻關項目。
期間申請的實用新型專利和商業專利，達到1210件和347件。
研發的主要成果包括各型電子束曝光裝置，采用紫外線、x射線、電子束的各型製版複印裝置、乾式蝕刻裝置等，取得了引人注目的成果。
針對難度大的高風險研究課題，vlsi項目采用多個實驗室群起圍攻的方式，調動各單位進行良性競爭，保證研發成功率。
各企業的技術整合，保證了dra量產成功率，奠定了日資半導體廠商在dra市場的霸主地位。
日資半導體廠商互相授權，共同擁有dra生產專利，這是世界上技術水平最高的生產係列專利池，延伸到生產鏈的全過程，可以保證可靠的良品率。
消息傳出，此次生產技術專利永久轉讓，引起了韓棒子三星及現代公司的高度恐慌，報紙，電台連篇累牘的宣傳狼來了。
棒子國政府和產業界相關人士，在不同的場合表示了極為憂慮的訴求，他們敏感地意識到前景難料。
1993年的華國，正在經濟騰飛的起始階段，國際國內大環境相對比較寬鬆。
這一專利轉讓案並沒有引起以米國為首國際聯盟的圍堵和打擊，隻是發表了一篇不痛不癢的關切報告，然後就束之高閣了，讓棒子國上下大失所望。
作為經濟動物，日資大廠更關切自己的利益。
這一結果對富士通公司來說，猶如三九天吃了冰水一樣舒爽，對於棒子國的強烈抗議置若罔聞，開心的舉辦宴會慶祝勝利。
協議的簽訂，富士通公司收獲了巨額專利費，又給老對手添了堵，可謂是一舉兩得。
花費了二個多月時間，王耀城辦好了這一切，輾轉回國解決了迫在眉睫的大量問題，於八月中旬返回米國。