gca當時投入研發ev技術項目的3000萬美元經費，可以收購al40的股權，不是一筆小數目！
gca當時賬上的現金流隻剩下300多萬美元，公司要花錢的地方多的是。
孫健前世在互聯網上看過不少有關alev光刻機的文章，作者紛紛感歎研發和生產ev光刻機之難難於上青天，被稱為外星人的科技水準，是迄今為止人類科技領域所能達到的最尖端技術，沒有之一。
為了打破封鎖，投入巨資，舉國之力也沒有看見成果。
前世90年代末，乾式193n波長光刻機遇到了65n製程工藝的極限，再往下就寸步難行，如何跨入40n製程工藝？成為阻擋所有光刻機等半導體廠商的世界性難題，科學家和產業界提出了各種超越193n波長的方案，其中包括157n2激光，電子束投射(epl)，離子投射(pl)、ev(135n)和光等。
相對而言，157n2激光的技術難度稍低，不少公司開始下注157n2激光，其中尼康和vg在這個技術路線走的最遠，是最接近商業化量產的兩家公司。
幾年後，al收購了vg，也擁有了157n2激光技術，又砸下數億美元進行研發，此外al也還嘗試開發ev光刻機。
財大氣粗的英特爾一開始就傾向於激進的ev(135n)方案，希望徹底解決光刻機的波長世界性難題，集中全球頂尖科技精英一起愚公移山，他們說服對高科技開明的克林頓內閣，發起成立了evllcev有限責任公司。
evllc由英特爾和美國能源部牽頭，集中了當時如日中天的摩托羅拉、b和ad，以及享有盛譽的美國三大國家實驗室：勞倫斯利弗莫爾實驗室、勞倫斯伯克利實驗室和桑迪亞國家實驗室，集中數百位世界頂尖科學家，投資2億美元研發經費，從理論上驗證ev可能存在的技術問題。
英特爾當時打算邀請光刻機行業第一、第二位的nkn和al加入evllc，但美國政府擔心最前沿的光刻機技術落入外國公司手中，反對nkn和al加入。
al為了表現誠意，同意在美國建立一所工廠和一個研發中心，以此滿足所有美國本土的產能需求，另外，還保證55的零部件均從美國供應商處采購，並接受定期審查，做出多項讓步後，最後成功加入evllc，能夠享受其基礎研究成果，nkn卻沒有機會加入，失去了同al競爭的機會。
幾年之後，終於論證了ev的可行性，於是evllc的使命完成，公司解散，各個成員踏上獨自研發之路。
al加入evllc後，享受到的研究成果大大加快了其ev的研發進度，2005年摩爾定律陷入停滯，極紫外光刻技術被認為是製程突破10n製程工藝的關鍵，但由於ev光刻機幾乎逼近物理學、材料學以及精密製造的極限，光源功率要求極高，透鏡和反射鏡係統也極致精密，還需要真空環境，配套的抗蝕劑和防護膜的良品率也不高，彆說是對日本與荷蘭，就算是科技全球第一的美國，舉國之力獨自突破這項世界最尖端的技術，也是癡人說夢。
由於技術難度極高，需要巨額的研發資金，尼康和佳能隻得選擇放棄，徹底淪為中低端光刻機廠商。
al成為唯一的候選人！
al以23的股權得到英特爾、三星和台積電的53億歐元的研發ev光刻機的資金，而這三家客戶也因此獲得優先供貨權。
al也成為美國大財團控股的荷蘭高科技公司！