binf/b/div前世，euv光刻機的聯合研發成功幾乎逼近當時人類物理學、材料學以及精密製造的極限，除了光源功率要求極高，透鏡和反射鏡係統也極致精密，還需要真空環境，配套的抗蝕劑和防護膜的良品率也不高，彆說a或nin，就算是科技實力世界第一的美國，以一國之力，完全自主製造一台euv光刻機，比登天還難。
euv光刻機被稱為人類工業皇冠上的明珠！
湯普森院士團隊雖然沒有研製成功euv，但研究成果對ga的光源和光學精密設備的不斷改進貢獻極大。
由於孫健重生，瀕臨破產倒閉的ga浴火重生，重回全球光刻機的龍頭企業之一，成為euv聯盟的重要成員，湯普森院士團隊專門研究euv光源7年，取得了不少重要技術成果，euv聯盟研製成功euv光刻機，肯定不需要15年。
ga將成為全球唯一生產euv光刻機的廠家，ati將成為最大的受益者，雖然孫健也樂見其成，但以美國人的性格，極有可能讓ati交出ga的控股權，嚴禁出口euv到中國，這不是重生者願意看到的結果。
前世被美國技術封鎖，舉國之力，孫健穿越前沒有看到國產euv光刻機的影子。
經過一年多的努力，be已經研究成功8英寸晶圓、250n製程工藝的光刻機，正在抓緊時間研製180n製程工藝的光刻機。
製程工藝不斷突破對be來說都是突飛猛進的進步，但同nin和ga相比，還有2代技術差距，沒有大肆宣傳，避免被仇視中國的美國國會議員盯上。
不到10年時間，從4代技術差距縮短到2代，be的管理層和技術人員都儘力了。
孫健知道，要是沒有65n製程工藝這道難關擋在光刻機業界的前麵，有他出錢出力，be在15年內也很難趕上光刻機技術實力雄厚的ga和nin。
連李昌傑都不知道，be研究院院長鄧國輝院士和所長錢富強研究員率領光源研究所的140多名研發人員，經過2年半的潛心研究，有孫健不斷「點撥」，終於在去年7月研製成功浸沒式光刻係統技術，arf激光器發射的193n光源通過純淨水的折射，得到了波長134n的光源，解決了業界遇到的193n波長的世界級難題，還沒有申請公司發明專利，秘而不宣。
隻能委屈錢富強和140多名研發人員了。
研究員錢富強憑借主持研發成功浸沒式光刻係統技術，攻克這項光刻機光源上的世界級難題，憑借這一世界級的重大科研成果，就能申請工程院院士。
鄧國輝和錢富強從去年8月開始立項，be投資1億元，帶領光源研究所，靜下心來開始研發euv。
作為上市公司，be發布公告，投資1億元繼續研究193n波長的世界級難題。
即使能得到蔡司公司最先進的透鏡和反射鏡係統，有資金支持，孫健也懷疑be研究院在20年內能否研製成功euv光刻機？
停止研究也不可能買到euv光刻機，20年不行，30年！
「李總，布羅迪先生，餘總已經拿到美國商務部的同意文件，我們明天前往美國，180n製程工藝的半導體生產線的基建要加快進度，增加人手，保證11月底完工。」
孫健今天參觀的這條be研發和生產的500n製程工藝半導體生產線的建設工程已經到了設備安裝階段，按照規劃，7月下旬將進行試生產。
「好的，董事長！」