binf/b/diveuv聯盟的研發費用出資比例中，牽頭的美國能源部出30%，inte和ga各出20%，tr、ib、it、ad和hp各出4%，irn和yer等其他33家科技企業和研究機構共出10%，今後享受的權利同出資比例相同。
ga需要出資的20%中，以前的euv研究成果折算15%。
ga這些年為了研發euv投資了15億美元，取得了不少有關euv的研究成果，但離成功還有很遠的距離，以ga一家之力很難完成，湯普森院長不得不放棄，出麵邀請美國能源部和inte等光刻機和半導體產業的同行，美國能源部牽頭成立了euv。
美國能源部的三家國家實驗室、inte和yer等公司這些年也在研發euv，但遠遠落後在ga的後麵，湯普森院士眾望所歸，成了euv聯盟的t。
作為ga的法人兼董事長，孫健樂見其成。
光刻機公司遲遲不能攻克193n波長的世界級難題，65n製程工藝光刻機遲遲見不到身影，ga和nin著急，但最著急的是財大氣粗的inte和ad，沒有下一代光刻機，inte和ad研發的下一代pu隻能成為研發成果，不能變成產品，不能上市，消費者將失去購買**，公司的銷售和利潤銳減，投資者用腳投票，股價下跌，市值減少，研發費用減少，研發受阻，會發生一係列連鎖反應。
前世，由於遲遲不能攻克193n波長的世界級難題，光刻機製程工藝一直停留在90n，摩爾定律失效！直到2007年左右，a生產的世界第一台193n波長的浸沒式光刻機問世，一舉突破了90n製程工藝，65n、45n、32n、28n、20n、14n、10n……製程工藝越來越細，製造難度越來越大。
重生前，euv光刻機已經誕生，台積電已經宣布能生產7n製程工藝的芯片，全球光刻機公司就剩下a、nin、ann和滬海微電子（ee）等四家。
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「各位董事都知道，業界對下一代光刻機的發展提出了兩條技術路線，據我所知，157n光刻技術同樣遭遇到了來自光刻機透鏡的巨大挑戰，不是短時間能克服的；即使euv聯盟在5年內研發成功euv，但euv光刻機量產還有很長的路要走，業界悲觀預測，5年內看不到65n製程工藝光刻機問世，芯片的升級換代將會陷入停滯，受到美國經濟下滑和65n製程工藝技術研發受阻的雙重影響，半導體產業的快速發展也不可能繼續延續。」
孫健一臉嚴肅，不是信口雌黃，也不是指點江山，準確預測光刻機產業和半導體產業未來的發展趨勢，避免ga陷入被動，繼續樹立ga一把手的權威形象。
打算關門的ga能成為全球第一大光刻機公司，孫董事長的貢獻第一，這是現場眾董事的心聲。
光刻機產業和半導體產業一榮俱榮，一損俱損。
要論對光刻機產業的現狀和未來發展趨勢的認識，作為全球第一大光刻機公司ga和第五大光刻機公司be的控股股東，還是全球第三大光刻機公司a的第二大股東，孫健拿到的第一手資料不是一般光刻機專家能比擬的，結合二世的知識積累，他稱第二，沒人敢稱第一。
前世納斯達克網絡科技股泡沫破裂後，對電腦、服務器、程控交換機和路由器等產品的需求驟降，產品供過於求，大量積壓，公司破產，經濟下滑，美國gdp陷入負增長，美國感冒，全球打噴嚏，半導體產業陷入衰退周期。