得到了專業人士的肯定，兩位老總臉上的表情更加欣喜，看向江辰的眼神也愈發滿意。
他們仿佛看到了公司未來的光明前景，對江辰的創新能力充滿了信心。
“其實不止是euv光刻技術，”
江辰微笑著繼續說道
“我還有幾種光刻技術的設想，也都可以說一說。”
他頓了頓，開始詳細闡述
“例如納米壓印光刻，這是一種類似打印機的技術。
我們通過在模具上刻上納米電路的圖案，然後將其壓在矽片的感光材料上，通過紫外線照射完成轉印。
這種技術的精度至少有2納米，對於提高生產效率有著顯著的優勢。”
“還有電子束光刻機，”
江辰接著介紹
“這是用高能電子束替代極紫外線的技術。電子對應的波長更是隻有004納米，因此其精度更高。
不過，由於精度高，但是生產速度相對較慢，還有改進的空間。”
他看了一眼聽眾，發現他們都在認真傾聽，於是繼續說道
“最後還有自組裝光刻技術，這是使用化學物質誘導光刻材料在矽片上自發組成所需結構的方法。
這種技術的分辨率高，並且加工速度不受影響。但是，它對材料控製的要求非常高，目前還處在實驗室階段。”
江辰的每一句話都充滿了創新的火花，讓在場的所有人都為之動容。
原以為他能夠解決euv光刻技術就已經非常天才了，沒想到他還有其他幾種光刻技術的設想。
既然他能夠堂而皇之地將這些技術說出來，那麼肯定是有理論和實驗依據作為支撐的。
這場會議讓大家對於江辰的技術能力非常信服。
對於euv光刻技術，他們都已經深入研究過，因此深知這項技術的極限是在3納米。
這是一個難以突破的瓶頸，也是未來技術發展的一個重要節點。
根據摩爾定律和最近十幾年的半導體發展曆程來看，每18到24個月，集成電路上可以容納的晶體管數目就會增加一倍。
簡而言之，處理器的性能大約每兩年就會翻一倍，同時價格也會下降到之前的一半。
這是一個不可逆轉的趨勢，也是推動科技不斷進步的重要力量。
然而，3納米的極限看似很遠，但實際上很快就會摸到上限。
目前的納米製程還停留在45納米，按照各家的推算，不需十年最晚十五年時間就會達到極限。
並且根據大家的研究來看，euv光刻技術的優勢主要在於7納米到14納米這個階段。
在這個階段，它的性能和成本都相對較為優越。
但是，隨著製程的不斷縮小，研發成本會呈指數級上升，這使得繼續研發euv光刻技術變得完全不合算。
因此，不止研發euv光刻技術，尋找新的、更具成本效益的光刻技術去觸摸更高精度製程已經成為行業的共識。
如今，江辰提出了精度更高的其他光刻技術，這無疑為兩家光刻製造企業帶來了新的希望和機遇。