第376章 PMOS_四合院:我邊做科研邊吃瓜_思兔閱讀 

第376章 PMOS(2 / 2)

“高總工,這工藝是先一部分一部分的做,這裡是前期我們要做的事情?”魯總工問道。

高振東一頭霧水,我什麼時候說過一部分一部分做了“沒有啊,這裡就是全部了。”

“全部?”兩人大驚失色,這怎麼可能?

高振東笑著把工藝的簡單概況給他們解釋了一遍,兩人陷入了“我不懂,但我大受震撼”的狀態之中。

高振東隻好解釋了一下“p技術雖然新一點,但是從工藝上來說是要簡單一些的,最符合我們現在的情況。”

魯總工大喜過望,對著雙極型晶體管半導體那複雜的工藝摳掉了半腦袋頭發的他,覺得這是今天聽到的第一個好消息,也是最好的消息,高總工有才啊。

“高總工,你是說這個技術,隻要這麼幾次光刻,幾十步工序,就能完成雙極型半導體要一百多步工序才能完成完成的事情?”

高振東笑道“技術的發展其實本來就是這樣的,先進不等於複雜,有的先進技術可以簡單到我們難以想象。”

甚至看起來還超級土鱉,高振東心想。

對於高振東,他們兩人還是很相信的,這位說的話,基本上還從來沒有落空過。

“高總工,這太好了,我們需要做什麼?”

高振東道“我看現在廠裡的情況,是有擴散爐的對吧?”

呂廠長點點頭“是的,這是我們基礎生產設備之一,很多。”

“那最高的溫控精度有多高?到得了正負1攝氏度不?”高振東問道,這個精度涉及到擴散摻雜效果。

這個魯總工清楚“這個到不了,有點差距,主要是傳感器問題。”

現在他們用的型熱電偶,測溫範圍沒有問題,但是精度就差不少了,25攝氏度或者千分之75,對於這個精度要求差了老遠。

高振東想了想,沒有推薦b型熱電偶,b型的千分之25的誤差也差點意思,而且反應速度慢。

“加一個鉑電阻吧,間接測量,作為輔助傳感器,配合型熱電偶,加上dj-60d跑pid控製算法,應該是能控製得住的。”

鉑電阻反應速度也慢,不過這個可以算法手段加以某種程度上的解決,鉑電阻精度就遠超需求了,最好的可以到千分之三攝氏度。

鉑電阻最大的問題還是測溫範圍問題,半導體生產中需要用到1000攝氏度以上的範圍,是超過鉑電阻的測溫範圍的,不過間接測量設計得好的話,問題不大。

所以高振東拿出了鉑電阻間接測量+型熱電偶直接測量的辦法,一個測得準,一個測得快,雙劍合璧,天下無敵。

他不知道日後的擴散爐是怎麼解決這個問題的,反正在他這裡,他就這麼解決。

之所以這個擴散爐這麼重要,主要是很多工序都靠這個。

氧化、澱積、擴散、擴散-氧化,這些都靠這玩意了。

擴散-氧化本來還有一種工藝的,但是高振東沒有選,因為選擇那種工藝會多出來一種叫做外延反應係統的設備,那就麻煩了。

所以高振東選擇的還是能靠擴散爐完成“熱氧化法”。

高振東想了想,又給了一筆支持“到時候我這邊支持你們一些專門搞計算機控製和熱電偶應用的技術人員,負責配合你們搞這個事情。”

魯總工他們這下放下了心,高總工這裡的精兵強將親自支援,那就好辦多了。

高振東也很開心,p技術芯片製造階段的三大核心設備,一個光刻機,一個擴散爐都有了,就剩下一個了。

“呂廠長,真空蒸鍍設備現在是個什麼情況?”在1274廠的現狀上麵沒有發現這東西,情況可能不容樂觀。

呂廠長搖搖頭“沒有,以前我們都用不上這個。”

真空蒸鍍,在真空條件下蒸發金屬,在工件表麵形成金屬鍍層的設備,在芯片製造業,它的升級版是濺射設備。

不過濺射設備是用於鉭、铌等金屬的,它們的濺射特性好,而芯片內布線大量使用的鋁就不同了,一直是蒸發。

不過蒸發也有幾種,有電阻加熱的,直接用鎢等金屬電阻材料加熱高純鋁,形成金屬蒸氣,完成蒸鍍。

還有一種是電子束蒸發,這個可以避免電阻加熱的一些壞處,比如加熱電阻與工藝中的氧化氣氛接觸,會把自己給蒸了,甚至它們會和被蒸發的金屬起反應,這就更難繃了。

高振東想了想“那我們搞個電阻蒸鍍機吧。”

電子束蒸發是要靠磁場精準偏轉電子束打到靶材上進行加熱的,先不說高能電子束的來源問題,這個磁場怎麼來都是一個問題,永磁體就不用想了,電磁場,以現在的條件來說也是個問題。

反倒是技術落後的電阻加熱,在現在是更加可行的,每一項技術的存在,總是有它的理由的。

反正現在這個也不是什麼要求很高的製程,所以整個集成電路工藝在高振東看起來雖然充滿了湊合、將就的意思,但是在這個階段,差不多就是最合適的了。

不過,1274廠的兩位,明顯不覺得這套工藝是湊合或者將就。

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